| 型号： | IGD01N120H2 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 |
| IGD01N120H2 PDF |  |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | - |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 2.8V @ 15V，1A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 3.2A |
| 功率 - 最大 | 28W |
| 输入类型 | 标准 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SP000014523 |